SCE-14,18,24,30等离子刻蚀机/系统是在两块平面电极之间进行蚀刻，与感应耦合等离子体（ICP）不同，是通过高压线圈产生的。MYCRO的SCE系列铝制反应舱等离子体系统是该领域的产品。我们的等离子刻蚀机无论是做研发还是大规模生产，总有一款SCE系列系统可以满足需要。就设备设计、质量或是交货灵活性、经济型等离子体系统等方面而言，没有公司与之相提并论。
SCE-AL等离子刻蚀系统可以在以下四种平板等离子体处理模式下运行：
直接模式—基片可以直接放置在电极支架或是底座支架上，取得的平板蚀刻处理效果。
定向模式—需要非等向性蚀刻（anisotropic etching）的基片可以放置在***的平板支架上。
下游模式—基片可以放置在不带电支架上，以便取得微小的等离子体效果。
定制模式—当平板蚀刻配置不过理想时，***的电极配置可以提供。
两种反映系统：
铝制反应舱系统可以配置，用于定向和下游等离子体处理模式。
石英反应舱系统可以配置，用于平板定向要非等向性和感应耦合等离子体（ICP）定向等离子体的发生。
铝质腔体等离子刻蚀系统Aluminum Chamber Plasma Systems
SCE 14铝质腔体等离子系统
长宽高356毫米的立方体腔体
外形尺寸559毫米 x 686毫米 x 915毫米 (w,d,h)
SCE 18铝质腔体等离子系统
长宽高457毫米的立方体腔体
外形尺寸 711毫米x 711毫米x 1651毫米(w,d,h)
SCE 24铝质腔体等离子系统
长宽高610毫米的立方体腔体
外形尺寸 864毫米 x 813毫米 x 1829毫米 (w,d,h)
SCE30铝质腔体等离子系统
长宽高762毫米的立方体腔体
外形尺寸915毫米x 915毫米x 1829毫米(w,d,h)
清洗：等离子体处理对于分子级的基片预清洗是非常必要的的。无论湿法清洗的步骤有多少，在基片盒粘合剂、涂料、其它材料的键合之间还是有残留物。
通过去除可能会截留的污染物，分子级的等离子体清洗可促进键合。等离子体处理，配合正确的气体混合比例，通过增加表面机能和减小表面张力而促进基片的亲水性。胶黏剂均匀地覆盖在基片表面，而无空隙。
案例包括飞机和汽车领域，海军使用的水下电缆，海上钻井平台等磨损治理。
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